Южнокорейская компания Samsung Electronics анонсировала о выпуске, как она заявляет, первого в индустрии многокристального модуля памяти на основе фазового перехода (PRAM), специально предназначенного для использования в мобильных телефонах. Начало поставок новых микросхем памяти намечены уже на этот квартал.

Как отмечает производитель, его 512 мегабитные PRAM модули в многокристальном исполнении обратно совместимы c 40 нм NOR флэш-памятью, как с железной стороны, так и с программной. Новый многокристальный PRAM модуль предоставляет конструкторам мобильных телефонов дополнительные удобства при проектировании, обеспечивая совместимость с предыдущим поколением PRAM памяти.

Samsung ожидает, что PRAM память в следующем году получит широкое распространение в мире и станет основной на рынке потребительской электроники, сменив на этом посту NOR флэш модули памяти.