Компания Samsung сообщила о завершении разработки плат MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу. Данная разработка будет использоваться в картах памяти SD-формата и позволит компании расширить ассортимент флэш-накопителей Samsung с емкостью до 32 ГБ, используемых в смартфонах, электронных устройствах и высокопроизводительных картах памяти.



Чипсеты MLC NAND флэш-памяти, выполненной по 20-нм технологическому процессу, обладают производительностью на 50% большей, нежели современные решения по 30-нм технологическому процессу. Производительность при записи на 20-нм карту памяти, при емкости 8 ГБ и повышенной плотности на 30% быстрее, чем у 30-нм карты. Это позволило поднять класс по скорости до десятого (скорость чтения 20 МБ/с и скорость записи до 10 МБ/с). Также сообщается, что с применением новой технологии возрос и уровень безопасности.

Производство продуктов на основе 20-нм MLC NAND флэш-памяти планируется начать в этом году. Накопители будут выпускаться емкостью от 4 до 64 ГБ.