|
|
|
|
|
Xeon E5530 Gainestown (2400MHz, LGA1366, L3 8192Kb)
|
|
|
|
|
Intel Xeon E5530 Gainestown (2400MHz, LGA1366, L3 8192Kb)
|
|
|
| Дополнительно |
| Максимальная рабочая температура |
76 °C
|
| Дополнительно |
| Типичное тепловыделение |
80 Вт
|
| Дополнительно |
| Дополнительная информация |
напряжение на ядре 0.75В-1.35В
|
| Кэш |
| Объем кэша L1 |
64 Кб
|
| Кэш |
| Объем кэша L2 |
1024 Кб
|
| Кэш |
| Объем кэша L3 |
8192 Кб
|
| Наборы команд |
| Поддержка AMD64/EM64T |
есть
|
| Наборы команд |
| Поддержка NX Bit |
есть
|
| Наборы команд |
| Поддержка Virtualization Technology |
есть
|
| Наборы команд |
| Поддержка Hyper-Threading |
есть
|
| Наборы команд |
| Инструкции |
MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
|
| Общие характеристики |
| Сокет |
LGA1366
|
| Частотные характеристики |
| Системная шина |
QPI
|
| Частотные характеристики |
| Тактовая частота |
2400 МГц
|
| Частотные характеристики |
| Встроенный контроллер памяти |
есть, полоса 25.6 Гб/с
|
| Частотные характеристики |
| Коэффициент умножения |
18
|
| Частотные характеристики |
| Напряжение на ядре |
0.75 B
|
| Ядро |
| Количество ядер |
4
|
| Ядро |
| Ядро |
Gainestown
|
| Ядро |
| Техпроцесс |
45 нм
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
